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분석 Lab 서비스

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분석서비스

시편준비

IC 패키지, Automotive 용 module, PCB, Ceramic, Metal CAN 등 다양한 시료에 대하여 시료 준비가 가능 합니다.

  • Milling machine : EMC package, PCB, Mold, Metallic module, etc
  • Automatic Diamond Saw : EMC package, Package module, Mold, Metallic module, Set, etc
  • Surface Grinding
  • Wafer cleaving : Si wafer
  • Pt coating
  • Chemical etching
  • Plasma etching

케미컬 처리

시편 분석 시 필요한 다양한 케미컬 전처리가 가능합니다.

  • Solder ball etch
  • Passivation crack test
  • Underfill 수지 제거
  • Si gel 제거
  • Potting 제거
  • Automotive용 수지제거
  • Si etch
  • Oxide etch
  • Junction stain
  • Solder ball etch
  • Passivation crack test
  • OLED 수지 제거 후
  • Junction Stain
  • 수지제거 후
  • MEMS 센서
  • MEMS 센서
  • Gel 제거 전
  • Gel 제거 후
  • 수지제거 전
  • 수지제거 후

De-Layering 분석

IC chip 제조 공정의 역순으로 Layer를 하나씩 Strip 하는 분석 방법입니다. 불량분석 및 벤치마크시 활용됩니다.

  • Top metal
  • M4
  • M3
  • M2
  • M1
  • Poly Layer

Examples

De-layering하여 M6 제조, 이상위치 FIB 분석/Burnt 확인 됨 De-layering하여 M2 제조, M2 이상위치 FIB 분석/M1 사이에 이물 발견됨

Broad Ion Beam 단면분석

Size가 수백um 크기로 큰 경우 사용하는 단면 분석 방법으로 Ion beam을 사용하기 때문에 품질이 매우 우수합니다.

  • 최대 시료 크기: 10mm(W) x 10mm(L) x 1mm(T)
  • Cross section width : 약 300 ㎛
  • Ball bonding
  • MOSFET
  • LED

Molding/Polishing 분석

작은 시료를 진공상태에서 Epoxy molding을 한 후 절단하고 연마 합니다. 관찰영역이 단면 시료 전체로 넓게 볼 수 있다는 장점이 있습니다.

  • 진공몰딩
  • PCB 단면분석
  • 압력센서 단면분석
  • MLCC 단면 분석
  • IC 단면분석

IC Backside 분석

Top에서 분석이 불가한 경우 Si 기판을 제거하고 분석 할 수 있는 방법입니다.

Decap 후 → Hot spot → Backside 시편 준비 → Si thinning 또는 제거 FIB 분석 → EDS Mapping 분석

PCB 분석

PCB de-layer 후 사진촬영(합성)하여 드립니다.

PCB de-layering

BM(Bench Mark) 분석

BM 분석은 Package 및 decap후 IC 에 대하여 분석이 진행됩니다.
FIB, De-layer등 필요한 작업을 통하여 IC에서 필요한 정보가 확보됩니다.

  • Decap
  • Mark 확인
  • 단면분석
  • 단면분석
  • Active layer 분석
De-layer/Poly layer, Poly layer/Functional 영역 분석

Active layer 분석

상부의 Passivation Layer etch 및 Metal layer를 전부 제거합니다.
Active Layer(Substrate) 상태에서 불량분석 및 정보를 획득 합니다.

Active layer