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RIE machine
RIE(Reactive dry etching) 용도
Etch materials : SiO2, Si3N4, PI, etc
RIE 장점
Uniform etch ( < 5% @ 6” wafer)
Die to wafer compatible
Very clean Surface
Specification
Type : RIE, ICP RIE
Electrode : 150mm ( Optional 200mm)
RF power : 300W ( Optional 600W)
Automatching network
Vacuum and pressure gauge
2 CH MFC ( Available to upgrade up to 4 ch)
Process gases : CF4, O2, SF6, etc
Vacuum pump : Oil rotary pump(Optional Turbo pump and related stuff)
PLC based Software(Optional PC Based)
Recirculating Chiller( 0~80 degree)
Examples
Before etch
After etch
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